[21p-146-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-146-8] 単点Naフラックス法GaN基板中転位

〇水落 博之¹、津坂 佳幸^1,2、松井 純爾²、今西 正幸³、森 勇介³ (1.兵県大院物質理学、2.兵県大・放射光ナノテクセンター、3.阪大工院)

キーワード：多波回折明視野X線トポグラフィ、Naフラックス法GaN基板、転位

単点Naフラックス法GaN基板中転位を多波回折明視野X線トポグラフィを用いて観察した。種結晶には多くの転位が含まれているが、成長するにつれて試料側面へ伝播するため、成長後期側の転位密度は成長前期側に比べ小さかった。しかし、転位群の存在する面からいくつかの基底面転位が発生していた。転位のコントラストが消失する条件から、基底面転位のバーガース・ベクトルはa方向となった。