[21p-233-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-233-1] ミニマルレーザ加熱装置により加熱プロファイルを変えて形成した熱酸化膜の電気的特性

〇佐藤 和重^1,3、千葉 貴史^1,3、寺田 昌男^1,3、池田 伸一^1,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード：ミニマルファブ、レーザ加熱

ミニマルレーザ加熱装置により、熱酸化膜形成時の加熱プロファイルを変えて成膜した熱酸化膜の電気的特性を評価した。酸化の後段で低温酸化がある加熱プロファイルでCV曲線が負側にシフトしていることを確認した。