[21p-331-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-331-7] Al₂O₃/ZrO₂ゲート絶縁膜を使用したことによるGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETの性能改善

〇(M2)青沼 遼介¹、木瀬 信和¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大工)

キーワード：III-V族化合物半導体、InGaAs、トンネルFET

トンネルFETはバンド間トンネリングを用いたスイッチング原理により，MOSFETの理論限界である60 mV/decを超えたSSが達成可能であり，次世代の低消費電力デバイスとして期待されている。本研究ではGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネル FETにおいて，Al₂O3 /ZrO₂絶縁膜を採用することによるSSの改善，および，SSの最小値として56 mV/decを得たことを報告する。