15:00 〜 15:15 △ [19p-D103-7] 近接昇華法による6H-SiC単層へのB,Nの高濃度コドーピングの検討 〇(B)田中 大稀1、黒川 広朗1、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、赤﨑 勇1,2 (1.名城大、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)