13:30 〜 15:30 [18p-P8-8] RF-MBE 法によるグラフェン上での窒化物半導体成長における初期過程 〇大江 佑京1、荒川 真吾1、内村 智1、毛利 真一郎1、荒木 努1、名西 憓之1 (1.立命館大理工)