11:00 〜 11:15 [17a-E202-8] MOCVDによる高密度(> 1011 cm-2)InGaN量子ドットの形成 〇有田 宗貴1、梅 洋2,3、荒川 泰彦1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.厦門大)