16:00 〜 18:00 [17p-P12-22] Si基板上AlGaN/GaN HEMT成長におけるMOCVD炉内環境の影響 〇山岡 優哉1,2、生方 映徳1、矢野 良樹1、田渕 俊也1、松本 功1、江川 孝志2 (1.大陽日酸、2.名工大)