一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
〇(M1)田崎 克佳1,2、Suchada Worasawat1,2、根尾 陽一郎2、畑中 義式1、三村 秀典2 (1.静岡大、2.電研)
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09:15 〜 09:30
〇(D)Suchada Worasawat1,3、Katsuyoshi Tasaki2,3、Yoichiro Neo3、Yoshinori Hatanaka3、Hidenori Mimura3 (1.GSST, Shizuoka Univ.、2.GSIST, Shizuoka Univ.、3.RIE, Shizuoka Univ.)
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09:30 〜 09:45
〇(PC)MD Faruk Hossain1、Shigeki Naka1、Hiroyuki Okada1 (1.University of Toyama)
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09:45 〜 10:00
〇山崎 友貴1、佐藤 知正1、松木 伸行1 (1.神奈川大工)
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10:00 〜 10:15
〇木原 勝也1、高橋 竜太1,2、リップマー ミック1 (1.東大物性研、2.JSTさきがけ)
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10:15 〜 10:30
〇三河 通男1、中田 邦彦2 (1.香川高専、2.住友化学株式会社)
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10:45 〜 11:00
〇丹羽 泰之1、菅 大介1、小金澤 智之2、島川 祐一1 (1.京大化研、2.JASRI)
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11:00 〜 11:15
〇奥村 太一1、西中 浩之1、吉本 昌広1 (1.京都工繊大)
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11:15 〜 11:30
〇(DC)Dauksta Edvins1,2、Arturs Medvids2、Vygantas Mizeikis1、Kenji Murakami1 (1.Shizuoka University、2.Riga Technical Univ.)
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11:30 〜 11:45
Sameera Attanayake1、Masayuki Okuya2、〇Kenji Murakami2 (1.GSST Shizuokka Univ.、2.GSIST Shizuoka Univ.)
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11:45 〜 12:00
〇(B)間島 毅1、清水 貴博1,2、柳谷 隆彦1,2,3 (1.早大、2.材研、3.JSTさきがけ)
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