[17p-D102-1~19] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [17p-D102-4] 深い伝導帯準位を有する新規アモルファス酸化物半導体の開発とその有機発光素子への応用

〇山本 晃司²、金 正煥¹、細野 秀雄^1,2 (1.東工大 元素セ、2.東工大 フロンティア研)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、有機発光ダイオード、正孔注入材料

今回、我々は、高い移動度と化学的安定性を持つ新規正孔注入材料の開発に成功した。作製されたアモルファスIn-Mo-O薄膜は、バンドギャップ3.1eV、電子親和力5.6eV、移動度1cm²/Vsの正孔注入材料として優れた性質を示した。また、これを用いた有機ELでは厚い膜(100nm)を用いても低電圧駆動が実現されており、今後、リーク電流防止、歩留まり向上、光学設計の自由度の増大などが大きく期待される。