[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[17p-F206-8] 溶液処理による結晶Lu-doped La₂O₃ /La₂O₃/Ge(111)MIS界面特性改善

〇古荘 仁久¹、高山 恭一¹、山本 圭介²、中島 寛³、野平 博司⁴、金島 岳¹ (1.阪大基礎工、2.九大総合理工学研究院、3.九大GIC、4.東京都市大工)

キーワード：high-k、エピタキシャルLa2O3、界面準位密度