[17p-F314-1~13] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

△ [17p-F314-2] CdTe/CdS量子ドットにおける発光ダイナミクスに対する局在状態の影響

〇渡辺 太一¹、金 大貴¹ (1.阪市大院工)

キーワード：半導体量子ドット、光学特性、温度依存性

水熱合成法により作製したCdTe量子ドット及びCdTe/CdS量子ドットにおける光学特性の温度依存性について調べた。発光寿命及びストークスシフトの温度依存性から、複数の励起子状態が発光過程に関与していることを見出した。さらに、発光減衰プロファイルの温度依存性を、2つの励起子状態を考慮したレート方程式を用いて解析を行うことで、ヘテロ界面への局在状態が発光過程に関与していることを明らかにした。