[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-19] He イオン注入n-GaNのトラップ評価

〇伊豫田 健¹、徳田 豊¹、塩島 謙次²、伊藤 成志³、八木 孝秀³ (1.愛知工大、2.福井大院、3.住重アテックス)

キーワード：半導体、n-GaNイオン注入、DLTS/MCTS

Heイオン注入MOCVD n-GaNについて、導入されるトラップの評価をDLTS、MCTS測定により行い、水素イオン注入の結果と比較検討を行った。注入後では欠陥生成のため、DLTS信号値が大幅に増加し、ブロードなピークE0が観測された。さらに、200 K以上でのDLTS信号のなだらかな上昇が見られる。このようなDLTS信号の特徴は、水素イオン注入でも観測されているが、相対的には、Heイオン注入試料で200 K以上の深い準位の成分が大きいことが分かった。熱処理についても比較検討する。