[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-24] p型GaNゲートを用いたノーマリオフ動作AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ

〇(M1)赤澤 良彦¹、近藤 孝明¹、吉川 慎也¹、岩田 直高¹、榊 裕之¹ (1.豊田工大)

キーワード：ノーマリオフ、GaN、HEMT

AlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(HEMT)は，低オン抵抗で高速動作が可能なため，マイクロ波通信などの用途に好適であるが，通常ノーマリオン動作であるという欠点を持つ．我々は，良好なノーマリオフ動作のAlGaN/GaN HEMT実現を目指し，ゲートリセス構造を形成せずにp型GaNをゲートに用いたHEMTを作製し，評価を行った．正のしきい値1.4V，最大ドレイン電流330mA/mmを含む良好な素子特性を得た．また，ソース抵抗が素子特性に及ぼす影響が認められた．