[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-25] n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタにおける光AND演算動作

〇川津 琢也¹、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹ (1.物材機構)

キーワード：半導体、ショットキー金属ゲート、近赤外光応答

強誘電体や圧電物質などの反転対称性を持たない結晶に光を照射した際、直流電流が生じる現象は、光ガルバノ効果と呼ばれ、1970年代初頭に活発な研究が行われた。この光ガルバノ効果は、等方的なグラフェンやAlGaN/GaNヘテロ接合でも観測されており、それらの場合、光の斜め入射や偏光を用いて空間的な対称性を低下させている。本研究では、レーザー照射方法を工夫することにより、ヘテロ接合電界効果トランジスタに異方性を引き起こし、面内光電流を生じさせることを試みる。特に、2つのレーザー光が照射されたときにのみ電流が生ずるような光AND演算動作を行うことを示す。