[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-3] Cl₂およびBCl₃を用いたICP-RIEによるGaN表面粗さへの影響

〇宇崎 滉太¹、今熊 豪¹、新海 聡子² (1.九工大、2.九工大マイクロ化)

キーワード：窒化ガリウム、ドライエッチング、表面粗さ