[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-4] 希釈溶媒を変化させたTMAH溶液によるGaN表面処理

〇今熊 豪¹、宇崎 滉太¹、新海 聡子² (1.九工大、2.九工大マイクロ化)

キーワード：窒化ガリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、表面処理