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[17p-P12-8] リモートプラズマによって酸化されたn-GaNのPL特性
キーワード:GaN、フォトルミネッセンス、欠陥
SiドープされたGaN表面のリモートプラズマによる酸化過程およびその界面構造を理解するために、フォトルミネッセンス法を用いて特性評価を行った。酸化していない試料および500℃で酸化した試料と比較して、300℃の場合にGa空孔等が起源とされるYellowバンドの強度が低いことを示した。GaN表面近傍の欠陥密度が酸化処理によって、変化していると推測される。本研究の一部はNEDOの委託により実施された。