[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-9] GaN(0001)面上へのHe希釈リモート酸素プラズマ支援によるSiO₂ CVD ―
Ar希釈リモート酸素プラズマ支援との違い

〇グェン スァン チュン^1,2、田岡 紀之²、大田 晃生¹、山田 永²、高橋 言緒²、池田 弥央¹、牧原 克典¹、清水 三聡²、宮崎 誠一¹ (1.名大院工、2.産総研　GaN-OIL)

キーワード：SiO2/GaN interface、リモートプラズマCVD、interface

これまで、我々は、Ar希釈リモート酸素プラズマ支援CVD (ROPE-CVD)により形成したSiO₂/GaN構造は800 ºCの堆積後熱処理(PDA)後においても良好な電気特性(界面準位密度D_it~1×10¹¹cm^-2eV^-1)を示すことを明らかにした。一方で、プラズマ励起の条件（希ガスの種類、出力等）によって、形成されるSiO₂/GaN界面の特性が変化することが予想される。そこで本研究ではArに加えてHe希釈ROPE-CVDによりSiO₂/GaN構造を形成し、希釈ガスの違いが界面特性に与える影響について調べた。