[17p-P3-1~22] 3.13 半導体光デバイス

[17p-P3-21] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPストライプレーザの閾値電流密度の共振器長依存性

〇(B)矢田 拓夢¹、鎌田 直樹¹、大貫 雄也¹、韓 旭¹、Periyanayagam Gandhi Kallarasan¹、相川 政輝¹、内田 和希¹、杉山 滉一¹、早坂 夏樹¹、佐藤 栄成¹、松浦 正樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：半導体レーザ、InP/Si、直接貼付

​​ 今後見込まれるデータ通信量の増大に対応するために，シリコンフォトニクスに関する研究が近年盛んに行われている．当研究室では，薄膜InPをSiプラットフォーム上に親水化接合したInP/Si基板を作製し，その基板上にMOVPE法を用いて光デバイスを集積する手法を提案してきた．今回，InP/Si基板に1.5µm帯GaInAsPストライプレーザを集積して，電流注入による発振特性，共振器長に関する評価を行ったので，その結果を報告する．