[17p-P3-1~22] 3.13 半導体光デバイス

[17p-P3-20] 直接貼付InP/Si基板におけるボイド占有率のアニール時間依存性

〇(M1)早坂 夏樹¹、大貫 雄也¹、鎌田 直樹¹、韓 旭¹、相川 政輝¹、内田 和樹¹、杉山 滉一¹、松浦 正樹¹、Periyanayagam Gandhi Kallarasan¹、矢田 拓夢¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：レーザ、InP/Si、直接貼付