[17p-P3-1~22] 3.13 Semiconductor optical devices

[17p-P3-19] Room temperature lasing of 1.5mm wavelength GaInAsP ridge laser diode
on wafer bonded InP/Si substrate

〇Kazuki Uchida¹, Naoki Kamada¹, Yuya Onuki¹, Xu Han¹, Gandi Kallarasan Periyanayagam¹, Hirokazu Sugiyamja¹, Masaki Aikawa¹, Natsuki Hayasaka¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:laser, directly bonded, InP/Si

我々は薄膜InPをSiプラットフォーム上に貼り合せたInP/Si基板を作製し，この基板上にMOVPE法を用いることで光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた．今回，InP/Si基板上において，波長1.5μm帯での発振を狙ったGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積を行い，さらに閾値電流値の低減を狙いリッジ構造の作製を行い，電流注入による室温発振特性の評価を行った．またInP基板上に成長した，同様のリッジレーザの特性と比較したのでその結果を報告する．