[18a-B303-6~9] 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

[18a-B303-7] イオンビーム活性化接合法によるSi上LNOI導波路の作製と光伝搬特性評価

〇多喜川 良¹、日暮 栄治^2,3、浅野 種正¹ (1.九大、2.産総研、3.東大)

キーワード：LNOI光導波路/Si、表面活性化低温接合、ヘテロフォトニクス

我々は、大きな電気光学効果や非線形光学効果を有するニオブ酸リチウム（LN）薄膜からなるLN on Insulator（LNOI）光導波路のSiプラットフォーム上への集積化を目指している. 本発表では、イオンビーム活性化処理を利用したLNとSi熱酸化膜の低温接合とそれにより作製したSi上LNOI光導波路について報告する. 本接合法により作製したLNOI導波路の光伝搬特性評価と接合界面分析を併せて議論する予定である.