[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-C102-12] 標準電極電位差を利用した3値記憶素子の作製

〇(B)渡邊 佑紀¹、清水 亮太^1,2、西尾 和記¹、杉山 一生¹、リウ ウェイ³、渡邉 聡³、一杉 太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東大工)

キーワード：多値メモリ、界面、Liイオン伝導体

これまで、我々は異種金属間標準電極電位差を利用したメモリデバイス(VolRAM)を報告した。これはLi/Li₃PO₄/Auの積層構造であり、Li₃PO₄/Au界面でのLi-Au合金、脱合金反応による電位差変化がメモリ動作に対応している。Au電極では、Liと合金相を形成してしまい、Liイオンの挙動を理解することは難しい。本研究では、Liと合金を形成しないNiを用いて、動作メカニズムの検討を目指した。その結果、3つの異なる電位状態を保持できることを見出したので報告する。