[18p-C302-1~19] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-C302-10] Al₂O₃/NO₂ホールドープダイヤモンドMOS構造の
C-V測定におけるゲート金属の影響

サハ ニロイ チャンドラ¹、〇嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工)

キーワード：C-V、ダイヤモンドMOS、ゲートメタル

この研究では、Al2O3 / NO2 / Hダイヤモンド金属酸化物半導体（MOS）に異なるゲート金属が及ぼす影響を調べる