[18p-C304-1~11] ゲルマニウムの工学－電子・光・熱・スピン　Ⅳ族半導体の新展開－

[18p-C304-2] ゲルマニウム電子デバイスに向けた界面制御

〇鳥海 明¹ (1.東大院工)

キーワード：ゲルマニウム

昨今の微細，薄膜デバイスにおいては，界面制御がデバイス特性の成否を決定しており将来はさらにその傾向は強まるであろう．実際のデバイスにはいろいろな界面が存在するが，本講演ではFETでもっとも重要な，(i) Ge/絶縁膜界面，(ii) Ge/金属界面，(iii) n⁺/p接合について議論する．本当にGeの性能が思い通りに提供できるならGeでなければできない箇所をSiと混在させながら使うというのは十分あり得るだろう．そのためにも界面制御はできる限り基本的なレベルから理解しておくことが求められている．