[18p-C304-1~11] ゲルマニウムの工学－電子・光・熱・スピン　Ⅳ族半導体の新展開－

[18p-C304-6] ゲルマニウムを用いた中赤外集積フォトニクスへの展開

〇竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：半導体、ゲルマニウム、光集積回路

Geは中赤外波長領域で透明であるなど様々な優れた物性を有しており、通信応用に加えて各種センシング応用も可能なGe中赤外光集積回路の実現が期待されている。我々は、Ge-on-insulator (GeOI)基板上に、超小型Ge中赤外導波路素子とGe CMOSを一体集積可能なGe CMOSフォトニクス・プラットフォームを提唱し、研究を進めている。貼り合わせGeOI基板上を用いることで、これまでに各種パッシブ素子やキャリア注入光変調器などの実証に成功している。当日はGe中赤外光集積回路の将来展望について講演する。