[18p-D103-1~23] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [18p-D103-1] 分子イオン注入エピウェーハの製品特性（１）-CH₂P注入エピタキシャルウェーハ特性解析-

〇廣瀬 諒¹、奥山 亮輔¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、重松 理史¹、小林 弘治¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：分子イオン注入、ゲッタリング技術、クラスターイオン注入

我々はCMOSイメージセンサーの特性改善を目的として、炭素クラスターイオン注入技術に代表される、イオン注入技術を応用したシリコンエピタキシャルウェーハの開発を推進してきた。そして、これまでに報告のない新たなイオン注入技術として炭素と水素、リンを含む分子イオン注入が実現したことを報告している。今回はこの分子イオン注入を適用したシリコンエピタキシャルウェーハの基礎特性を解析したので報告する。