[18p-D103-1~23] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [18p-D103-4] 分子イオン注入エピウェーハの製品特性（４）-フラッシュランプ熱処理による注入欠陥の結晶性回復挙動解析-

〇小林 弘治¹、奥山 亮輔¹、柾田 亜由美¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.株式会社　SUMCO)

キーワード：ゲッタリング、炭素クラスター、アニール

炭素クラスターイオン注入エピタキシャルウェーハにおいて，高ドーズ注入をおこなうことによりゲッタリング能力の向上がみられる．しかしながら，高ドーズ注入条件では基板表層のアモルファス化がおこり，その後のエピタキシャル成長時にエピタキシャル欠陥が発生する．そこでアモルファス層の再結晶化とエピタキシャル欠陥制御を目的にフラッシュランプアニールをおこなった．