[19a-C101-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [19a-C101-4] Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価

〇小林 弘人¹、横川 凌^1,2、鈴木 貴博¹、沼沢 陽一郎¹、小椋 厚志¹、西澤 伸一³、更屋 拓哉⁴、伊藤 和夫⁴、高倉 俊彦⁴、鈴木 慎一⁴、福井 宗利⁴、竹内 潔⁴、平本 俊郎⁴ (1.明治大理工、2.学振特別研究員 DC、3.九州大工、4.東京大工)

キーワード：Si絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、ライフタイム、シリコン