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△ [19a-C302-1] GaN の極性光学フォノン散乱過程における散乱内電界効果
キーワード:散乱内電界効果、GaN、極性光学フォノン散乱
SiC, GaN などの広い禁止帯(WBG) を持つ半導体では,絶縁破壊電界が数MV/cm と高く,パワーデバイス応用に向けて,Si に代わる半導体材料として注目されている.数MV/cm程度の印加電界のもとでは,散乱中に電子が加速される,散乱内電界効果(ICFE)が重要な役割を演じると予想される.本研究では,GaN の極性光学フォノン散乱過程に対するICFE の影響を調べた.