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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.5 表面物理・真空

[19a-F214-1~11] 6.5 表面物理・真空

6.5と7.6のコードシェアセッションあり

2018年3月19日(月) 09:15 〜 12:15 F214 (61-214)

服部梓(阪大)、一ノ倉聖(物材機構)

11:00 〜 11:15

[19a-F214-7] 昇温脱離法を用いたNEA-GaAsの形成過程におけるCsの吸着状態

〇田中紘大¹、稲垣雄大¹、飯島北斗¹、目黒多加志¹ (1.東京理科大学)

キーワード：負の電子親和力、光電子放出、光陰極