[19a-P6-1~79] 17 ナノカーボン（ポスター）

[19a-P6-3] 二硫化モリブデンFETへの分子ドーピング

〇高岡 毅¹、Nguyen Tat Trung²、塚本 一平²、Iftekhar Md. Alam²、Md. Ikram Hosain²、鷲田 一樹²、安藤 淳³、米田 忠弘¹ (1.東北大多元研、2.東北大理化、3.産総研)

キーワード：半導体、電界効果トランジスタ、分子吸着

MoS2を含む遷移金属ダイカルコゲナイドの原子スケールの層は、その真性半導体性質のために、電界放出トランジスタ材料として注目を集めている。ドーピングを行う技術として、分子吸着の可能性が挙げられる。この報告では、超高真空（UHV）状態に置かれたMoS2 FETの特性に対するCl2分子吸着の効果を測定する。