[19a-P6-1~79] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[19a-P6-4] Gas sensor application of atomic layer FET using layered chalcogenide materials (3)

〇Erina Ogihara¹, Nobuyuki Kawakami², Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ., 2.Kobe Steel, Ltd.)

Keywords:gas sensor, FET, chalcogenide materials

我々は前回，二テルル化モリブデン(MoTe₂)の電界効果トランジスタ(FET)が二酸化窒素(NO₂)とアンモニア(NH₃)に反応し，ガスセンサへの応用が可能であることを報告した。今回はそれに加えて，二硫化モリブデン(MoS₂)のFETを作製しガスセンサ応用を試みた。n型動作を示すMoS₂FETをNO₂に曝露するとドレイン電流値が減少し，N₂に曝露すると増加し，ガスセンサとして機能することが確認された。当日はMoS₂ FETのNH₃に対する応答や，他のFETセンサの特性も紹介する。