[19a-P6-1~79] 17 ナノカーボン（ポスター）

[19a-P6-63] 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（２）

〇池田 幸弘¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：層状物質、二硫化タングステン、原子層堆積法

層状6族遷移金属ダイカルコゲナイドはその多くがバンドギャップを持ち，低消費電力FET等の素子応用を目指した研究が行われている。本研究ではWS₂の薄膜成長を，比較的安全な液体前駆体を用いた原子層堆積(ALD)法により試みた。前回の報告から成長条件の更なる改善を行い，同じ400 ℃でより結晶性が高く，ほぼ化学両論比であるWS₂薄膜の成長に成功した。