[19a-P6-1~79] 17 ナノカーボン（ポスター）

[19a-P6-75] CVD成長した高品質WS₂原子層を用いたhBN/WS₂/hBN積層構造デバイスの作製とその評価

〇(D)堀田 貴都¹、上田 哲大¹、内山 揚介¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、篠原 久典¹、北浦 良¹ (1.名大理、2.物材機構)

キーワード：原子層物質、遷移金属ダイカルコゲナイド、デバイス特性

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）原子層は、バルク結晶とは異なる電磁応答や透明性や柔軟性を生かしたデバイス創出への期待等の理由から近年注目されている物質である。TMDの基礎物性探索およびデバイス応用の可能性探求には、高品質なデバイス作製法の開発が不可欠である。本研究では、高品質デバイスの作製を目指して、CVD法を用いて高温成長させたWS₂を対象に、乾式転写法を用いて、hBNでサンドした構造を持つデバイスを作製した。