09:30 〜 11:30 [19a-P6-75] CVD成長した高品質WS2原子層を用いたhBN/WS2/hBN積層構造デバイスの作製とその評価 〇(D)堀田 貴都1、上田 哲大1、内山 揚介1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、篠原 久典1、北浦 良1 (1.名大理、2.物材機構)