[19p-A404-1~19] 3.7 レーザープロセシング

△ [19p-A404-9] フェムト秒レーザ照射誘起改質を応用したNi/SiC界面における低温拡散

〇(B)渕上 裕暉¹、橋本 拓哉¹、川上 博貴¹、植木 智之¹、富田 卓朗¹、岡田 達也¹、田中 康弘² (1.徳島大工、2.香川大工)

キーワード：SiC、フェムト秒レーザ、改質

フェムト秒レーザ誘起改質によるNi/SiC界面における低温拡散について実験的研究を行った．673Kでのアニール前後における2つの異なるパルスエネルギ（レーザフルエンスで0.84及び0.60J/cm²） による照射ライン断面を比較した．0.60J/cm²のレーザフルエンスにおいては，アニール後の界面において独立した平たい形状をしたNi基微粒子が形成していた．粒子下のSiC結晶には欠陥がなかった．今回の実験結果はフェムト秒レーザ誘起改質の，転位や積層欠陥等の結晶欠陥の導入を伴わない，低温でのコンタクト形成への可能性を示している．