[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-11] ソース及びゲートFP構造をもつAlGaN/GaN MOS-HEMTの評価

〇(M1)山口 良太¹、ジョエル アスバル¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：フィールドプレート、MOS、AlGaN/GaN HEMT

本研究では、ソース及びゲート電極にそれぞれFP構造をもつ二重FP構造AlGaN/GaN MOS-HEMTを試作し、その直流特性、パルス特性、バイアスストレス印加時の安定性について検討したので報告する。