[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-17] 分極接合基板のAlGaN/GaN界面における界面準位

〇星井 拓也¹、高山 留美¹、鶴田 脩真¹、中島 昭²、西澤 伸一³、大橋 弘通¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大、2.産総研、3.九州大)

キーワード：窒化ガリウム、分極接合基板

分極接合による高濃度二次元正孔ガスの形成技術を利用したPチャネルFETのデバイス特性をシミュレーションで検討するに当たり、AlGaN/GaN界面に生じる二次元正孔／電子ガスを枯渇させるバックゲート電圧が実測と大きく乖離する現象が見られた。本講演ではAlGaN/GaN界面に界面準位を想定することで実測を一部よく再現する結果が得られたので報告する。