2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:30 C302 (52-302)

牧山 剛三(富士通研)、加藤 正史(名工大)

14:15 〜 14:30

[19p-C302-3] 表面ポテンシャル揺らぎがGaN MOSFETのキャリア移動度に与える影響

田岡 紀之1、山田 寿一1、清水 三聡1 (1.産総研 GaN-OIL)

キーワード:GaN、MOSFET、MOS界面