[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-4] 負のゲートバイアスストレスを印加した縦型トレンチGaN-MOSFET のしきい値電圧変動の評価

〇(M1)笹田 將貴¹、高島 教史¹、村田 翔一¹、ジョエル アスバル¹、徳田 博邦¹、上野 勝典²、江戸 雅晴²、葛原 正明¹ (1.福井大院工、2.富士電機株式会社)

キーワード：縦型MOSFET、GaN、MOS

n+ソース領域の形成方法として、イオン注入に加えて、n+GaNエピ成長を用いた２通りの素子を作製し、しきい値電圧変動の要因について考察した。