[19p-C302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-C302-4] Threshold voltage shift in vertical trench GaN-MOSFETs by negative gate-bias stress

〇(M1)Masataka Sasada¹, Norihumi Takashima¹, Shoichi Murata¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Katsunori Ueno², Masaharu Edo², Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ., 2.Fuji Electric Co., Ltd.)

Keywords:Vertical MOSFET, GaN, MOS

n+ソース領域の形成方法として、イオン注入に加えて、n+GaNエピ成長を用いた２通りの素子を作製し、しきい値電圧変動の要因について考察した。