14:30 〜 14:45 [19p-C302-4] 負のゲートバイアスストレスを印加した縦型トレンチGaN-MOSFET のしきい値電圧変動の評価 〇(M1)笹田 將貴1、高島 教史1、村田 翔一1、ジョエル アスバル1、徳田 博邦1、上野 勝典2、江戸 雅晴2、葛原 正明1 (1.福井大院工、2.富士電機株式会社)