2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2018年3月19日(月) 13:30 〜 18:00 D103 (56-103)

一色 俊之(京都工繊大)、西尾 譲司(東芝)

14:30 〜 14:45

[19p-D103-5] 熱分解炭素被覆サセプタを用いたSiCエピリアクター繰り返しクリーニング

倉島 圭祐1、羽深 等1、伊藤 英樹2、三谷 慎一2、高橋 至直3 (1.横国大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

キーワード:炭化珪素、三フッ化塩素、クリーニング

炭化珪素エピタキシャル膜の表面欠陥発生を抑制するために、三フッ化塩素ガスを用いたSiCエピリアクターのクリーニング方法が提案されている。クリーニングの際にサセプタを保護する被膜材料として熱分解炭素被膜を設けることにより、その上に製膜したSiCを三フッ化塩素ガスを用いたクリーニングにより除去できることが報告されている。本研究では同じサセプタに再度SiCを製膜してクリーニングを試行した結果を報告する。