[19p-F202-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [19p-F202-10] スパッタリング法によるSr-Si膜の作製

〇(B)青山 航大¹、清水 荘雄¹、倉持 豪人²、召田 雅実²、秋池 良²、木村 好里¹、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.東ソー)

キーワード：SrSi2

SrSi2(α相)のバルクの研究では、高いパワーファクターをもつ熱電材料であることが報告されている。一方膜の研究では、Si基板上に作製したもののみが報告されており、膜の熱電特性を測る際に基板の寄与が切り離せず、絶縁体基板上での作製が望まれる。今回、絶縁体のAl2O3基板上の作製に成功し、成膜温度600℃では、近年報告されたCaSi2型準安定相のSrSi2が、700℃では、SrSi2(α相)と温度によって結晶相が異なることを初めて見出した。