[19p-F202-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-F202-4] 希薄磁性半導体GaGdAs/GaAs超格子へのSiドープの効果

〇宮川 勇人¹、大西 吉行¹、小柴 俊²、高橋 尚志²、稲田 佳彦³ (1.香川大工、2.香川大教、3.岡大院教)

キーワード：希薄磁性半導体、ガドリニウム、超格子

希土類元素であるGdを添加した希薄磁性半導体GaGdAs/GaAs超格子構造にキャリアとしてSiドーピングを行った系を分子線エピタキシー（MBE法）により作製し、構造解析ならびに電気特性・磁気特性の評価を行った。断面TEM像ではSiドープ量の増加に伴い転移の増加および超格子界面の乱れが観察された。最もキャリア濃度が高くなるSiセル1250℃の試料において飽和磁化が40 emu/cc以上と増大するキャリア誘起強磁性の発現が見られた。