[19p-P10-1~6] 15.5 Group IV crystals and alloys

[19p-P10-2] Fabrication of lattice-matched GeSiSn/Ge hole-tunneling double-barrier resonant tunneling diodes

〇Shota Kurihara¹, Minoru Wakiya¹, Takahiro Tsukamoto¹, Yoshiyuki Suda¹ (1.Tokyo Univ. Agric. Technol.)

Keywords:GeSiSn, RTD

GeSiSnは新しいⅣ族半導体の材料として注目されている。GeSiSnはそれぞれの組成比を制御することにより、格子定数とバンドギャップを独立に設計することが可能であり、格子定数整合系ヘテロ接合による低欠陥な量子積層デバイスへの応用が期待される。本研究では、正孔トンネル型の格子定数整合GeSiSn/Ge系p-RTDの試作および特性取得を行ったので報告する。