[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-26] Ir触媒表面で励起したNOガスによるZnO膜への窒素ドーピング

〇安達 雄大¹、小野 翔太郎¹、Abdul Manaf Hashim²、安井 寛治¹ (1.長岡技大、2.MJIIT)

キーワード：触媒反応、ZnO、窒素ドーピング

触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いたCVD法で堆積したZnOへの窒素ドープを目指すに当たり, 膜中への窒素取り込みを促進させるため, 膜成長時に反応性の高い窒素ラジカルを供給した．窒素ラジカルは加熱したIrワイア表面にNOガスを吹き付け, 触媒分解反応により生成した．XPSを用いて窒素取り込みについて調べた結果, 加熱Irワイア使用時にZn-N結合成分が増加し, 窒素ドープに効果があることが分かった.