[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-9] r, m面sapphire基板上コランダム構造α-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜の成長

〇増田 泰久¹、内田 貴之²、金子 健太郎²、藤田 静雄² (1.京大工、2.京大院工)

キーワード：半導体