[19p-P11-1~31] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[19p-P11-8] Growth of α-Ga₂O₃ thin films by O₃ assisted mist CVD

〇Takayuki Uchida¹, Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujita¹ (1.Graduate School of Eng., Kyoto Univ.)

Keywords:Ga2O3

これまでミストCVD法により成長したα-Ga2O3は膜中にはドナーとして働く可能性のあるSiが~ 10¹⁸ atom/cm^-3、Clが~10¹⁶ atom/cm^-3程度存在しているものの、これらは活性化しておらず抵抗値が> 10¹⁰ Ωcmを示すことが分かっている。本研究ではキャリアガスにO₃を用いることでSiが活性化し、意図的なドーピング無しで導電性α-Ga₂O₃薄膜が得られた。得られた薄膜の電気特性を核として発表を行う。