[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-1] 対向ターゲット式スパッタ法によるWO₃膜の高速堆積

〇安田 洋司¹、星 陽一¹ (1.東京工芸大工)

キーワード：酸化タングステン、ガスクロミック

WO₃膜はガスクロミック特性、エレクトロクロミック特性を示す機能性材料として注目され研究が進められている。我々はWO₃膜を金属タングステン(W)ターゲットを酸素―Ar混合ガス中でスパッタする反応性スパッタ法で作製することを検討している。その結果、通常のマグネトロンスパッタ装置を用いた場合には、100 nm/min以上の堆積速度を得ることが困難で、スパッタ中にターゲットから放出される酸素負イオンの基板衝撃により特性が良好な膜を得ることが難しい。そこで、本研究では酸素負イオンによる基板衝撃が起こらない対向ターゲット式スパッタ法を利用して、100 nm/min以上の高堆積速度で良好なガスクロミック特性を持つWO₃膜を堆積する方法を検討したので報告する。